기술혁신의 핵심은 소재의 고도화에 있습니다. 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 3세대 반도체 소재는 우수한 내전압성과 고주파 특성으로 인해 연구개발의 중심이 되고 있다. 최근 국내 팀은 중간 전압 전력망에 직접 연결할 수 있는 국제적으로 선도적인 10kV-15kV SiC 전력 장치를 개발하여 데이터 센터 및 새로운 에너지 그리드 통합을 위한 핵심 장비를 제공했습니다. 동시에, 국제 거대 기업들은 전기 자동차의 고속 충전부터 AI 데이터 센터에 이르기까지 다양한 분야에서 전력 효율성을 향상시키는 것을 목표로 하는 차세대 650V GaN 장치 개발을 위해 협력을 강화하고 있습니다.
이것들구성 요소새로운 유형의 전력 시스템 구축의 초석입니다. 고전압 저항기는 태양광 인버터 및 충전소의 정확한 전압 분배 및 보호에 사용됩니다. 새로운 고전압 통합 전압 기준 칩은 정밀 측정을 위한 매우 안정적인 "눈금자"를 제공할 수 있습니다. 보다 효율적이고 컴팩트한 고전압 부품이 계속해서 에너지 혁명과 컴퓨팅 성능 업그레이드에 핵심 전력을 주입할 것으로 예상할 수 있습니다.
